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摘要：本实用新型公开了一种IGBT功率模块的封装件及具有其的功率系统，封装件包括晶圆，晶圆的第一侧预设有芯片线路和焊盘，且芯片线路通过互连件与焊盘形成电导通；晶圆的第二侧设有金属层，晶圆与焊盘相对应的位置处设有硅通孔，焊盘通过硅通孔与金属层形成电导通；以及塑封层，设置在晶圆的第一侧，并覆盖于芯片线路、焊盘和互连件。本实用新型的封装件及功率系统去除了铜底板、DCB板和焊料，具有较小的封装尺寸、工艺复杂度低，具有高散热性能，能满足大功率要求。
主权项：1.一种IGBT功率模块的封装件，其特征在于，包括：晶圆，所述晶圆的第一侧预设有芯片线路和焊盘，且所述芯片线路通过互连件与所述焊盘形成电导通；所述晶圆的第二侧设有金属层，所述晶圆与所述焊盘相对应的位置处设有硅通孔，所述焊盘通过所述硅通孔与所述金属层形成电导通；以及塑封层，设置在所述晶圆的第一侧，并覆盖于所述芯片线路、所述焊盘和所述互连件；所述金属层包括均设置在所述晶圆第二侧的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层之间具有预设间距，且所述第一金属层与所述芯片线路位置对应，所述第二金属层与所述焊盘位置对应。
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