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摘要：一种半导体装置及记忆体装置，半导体装置包括沿着第一横向方向延伸的导电层；设置于导电层上方的栅极介电层；设置于栅极介电层的通道层，且通道层沿着垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸；直接接触通道层的第一通孔结构，第一通孔结构沿第二横向方向延伸的通道层的第一边缘设置；直接接触通道层的第二通孔结构，第二通孔结构沿第二横向方向延伸且相对于第一边缘的通道层的第二边缘设置。第一通孔结构和第二通孔结构沿第三横向方向而横向分离，第三横向方向从第二横向方向以顺时针倾斜第一正角。此外，记忆体装置也在本揭露中揭示。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一导电层，沿着一第一横向方向延伸；一栅极介电层，设置于该导电层上方；一通道层，设置于该栅极介电层上方，且沿着一第二横向方向延伸，且该第二横向方向垂直于该第一横向方向；一第一通孔结构，直接接触该通道层，且沿着该通道层的一第一边缘设置，其中该通道层的该第一边缘沿该第二横向方向延伸；以及一第二通孔结构，直接接触该通道层，且沿着该通道层的一第二边缘设置，其中该通道层的该第二边缘沿着该第二横向方向延伸，且该第一边缘与该第二边缘相对；其中该第一通孔结构及该第二通孔结构沿着一第三横向方向而横向分离，且该第三横向方向从该第二横向方向以顺时针倾斜一第一正角。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置及记忆体装置
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