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摘要：本实用新型公开了一种低成本抗ESD的SGT器件，包括第一导电类型衬底、制备于所述衬底中心区的有源区、环绕包围所述有源区的终端保护区以及制备于终端保护区内的ESD保护结构，ESD保护结构制备于终端保护区对应的衬底上方，至少包括一个ESD多晶硅保护单元；对于任一ESD多晶硅保护单元，包括交替堆叠的N型多晶硅层以及P型多晶硅层；ESD多晶硅保护单元与用于形成SGT器件正面第一电极的正面第一电极金属欧姆接触，ESD多晶硅保护单元同时与用于形成SGT器件正面第二电极的正面第二电极金属欧姆接触。本实用新型有效减小了ESD保护结构的面积，降低了工艺的复杂度以及成本。
主权项：1.一种低成本抗ESD的SGT器件，其特征在于，包括第一导电类型衬底、制备于所述衬底中心区的有源区、环绕包围所述有源区的终端保护区以及制备于终端保护区内的ESD保护结构，其中，所述ESD保护结构制备于终端保护区对应的衬底上方，至少包括一个ESD多晶硅保护单元；对于任一ESD多晶硅保护单元，包括交替堆叠的N型多晶硅层以及P型多晶硅层；所述ESD多晶硅保护单元与用于形成SGT器件正面第一电极的正面第一电极金属欧姆接触，ESD多晶硅保护单元同时与用于形成SGT器件正面第二电极的正面第二电极金属欧姆接触，以将所述ESD多晶硅保护单元串接于正面第一电极与正面第二电极之间。
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百度查询： 江苏芯唐微电子有限公司 一种低成本抗ESD的SGT器件
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