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摘要：本申请公开一种驱动保护电路，该驱动保护电路包括电连接的至少两个驱动保护模块，每个所述驱动保护模块包括驱动模块、下拉电阻、反相电路、第一开关管和第二开关管，所述驱动模块的第一输出端与所述第二开关管的第一端连接，所述驱动模块的第一输出端通过所述反相电路与所述第一开关管的第一端连接，所述驱动模块的第二输出端与所述第一开关管的第三端连接，所述第一开关管的第二端与所述第二开关管的第一端连接，所述下拉电阻与所述第一开关管并联，所述第二开关管的第二端与相邻的前一个驱动保护模块中的第二开关管的第三端连接。本申请的驱动保护电路可有效抑制振铃、EMI、EMC，避免出现驱动串扰及开关管误开启引起炸管。
主权项：1.一种驱动保护电路，其特征在于，包括电连接的至少两个驱动保护模块，每个所述驱动保护模块包括驱动模块、下拉电阻、上拉电阻、反相电路、第一开关管和第二开关管，所述驱动模块的第一输出端通过所述上拉电阻与所述第二开关管的第一端连接，所述驱动模块的第一输出端通过所述反相电路与所述第一开关管的第一端连接，所述驱动模块的第二输出端与所述第一开关管的第三端连接，所述第一开关管的第二端与所述第二开关管的第一端连接，所述下拉电阻与所述第一开关管并联，所述第二开关管的第二端与相邻的前一个驱动保护模块中的第二开关管的第三端连接；所述第一开关管包括第一MOS管，所述第一开关管的第一端为所述第一MOS管的栅极，所述第一开关管的第二端为所述第一MOS管的漏极，所述第一开关管的第三端为所述第一MOS管的源极；所述第一MOS管为高速MOS管和或硅MOS管，所述高速MOS管的导通电阻为毫欧级；所述第二开关管包括第二MOS管，所述第二开关管的第一端为所述第二MOS管的栅极，所述第二开关管的第二端为所述第二MOS管的漏极，所述第二开关管的第三端为所述第二MOS管的源极。
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百度查询： 成都氮矽科技有限公司 驱动保护电路
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