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摘要：本发明涉及激光切割的技术领域，具体涉及一种分割微米激光束为纳米激光束阵列的方法、装置及应用，方法包括以下步骤：A1、以晶片为衬底，用纳米级激光束烧蚀衬底，形成贯穿的纳米级孔洞阵列；A2、将微米激光穿过所述步骤A1中设置有孔洞阵列的衬底，穿过孔洞的微米激光即成为纳米级的光斑阵列，其它部分的光受衬底影响成为强度减弱的光，即得到微米激光束经分割后的纳米激光束阵列。本发明的方法通过将微米激光束穿过纳米孔洞阵列将微米激光分割成纳米激光束阵列，且分割后激光的能量密度不会改变，可以用于套切坚硬的体材料晶体，如微米级晶体或粉体，使之成为纳米级晶体或粉体，实现纳米碳化硅低成本环境友好的规模化生产。

主权项：1.一种分割微米激光束为纳米激光束阵列的方法的应用，其特征在于：采用所述方法分割出的纳米激光束阵列应用于超硬材料的切割；具体的，采用所述方法分割出的纳米激光束阵列切割碳化硅、石墨、贵重金属、硅晶体、金刚石中的任意一种为纳米级晶体；包括以下步骤：B1、以晶片为衬底，用纳米级激光束烧蚀衬底，形成贯穿的纳米级孔洞阵列；B2、将微米激光穿过所述步骤B1中设置有孔洞阵列的衬底，穿过孔洞的激光即成为纳米级的光斑阵列，其它部分的光受衬底影响成为强度减弱的光，即得到微米激光经分割后的纳米激光束阵列；B3、采用所述步骤B2得到的纳米激光束阵列辐射待切割物，移动纳米激光束阵列或待切割物，切割得到纳米级晶体，所述待切割物为碳化硅、石墨、贵重金属、硅晶体、金刚石中的任意一种；待切割物为碳化硅时，切割得到碳化硅单元层或碳化硅纳米线，其中碳化硅单元层为两层碳原子层夹一层硅原子层的碳化硅单元层或两层硅原子层夹一层碳原子层的层状碳化硅单元层；碳化硅纳米线为截面积为0.35nm2~500nm2、长度为200nm~20um的线状晶体；所述步骤B1中，晶片为薄金刚石晶片、碳化硅晶片、氮化硼晶片中的任意一种，所述晶片的厚度为500~50000nm；孔洞阵列中，相邻孔洞之间的间隔为1~10nm；所述步骤B2中，微米激光为脉冲激光或连续激光，波长为514~335nm，所述脉冲激光的光强度为1019～1022Wcm2；所述连续激光的能量密度为800-100Jcm3，微米激光的发射器与衬底之间的距离为1~50mm；将得到的碳化硅纳米级晶体作为锂钠合金纳米碳化硅电池的活性材料制备电极，所述锂钠合金纳米碳化硅电池中，锂、钠的质量比为10-100:0-90；所述锂钠合金纳米碳化硅电池的首次库伦效率达到99.98%，放电平台为3.0~2.0V，比容量达到2090mAhg，放电能量密度达到1700~2200Whkg，功率密度达到1400~2600Wkg，循环周期达到20000次以上。

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