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摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于磷化铟晶片自动清洗用喷淋控制系统及方法，该方法的步骤包括：基于晶片表面缺陷图像评估晶片易损性，得到晶片易损系数；基于晶片表面污染物颗粒信息评估晶片污染程度，得到晶片污染系数；基于所述晶片易损系数和所述晶片污染系数确定最佳喷淋压力；基于所述最佳喷淋压力对喷淋装置进行控制，完成晶片清洗。本发明通过量化晶片易损性和晶片污染程度并针对性地控制喷淋压力，在保证晶片清洗效果的同时减少了晶片损伤。

主权项：1.一种用于磷化铟晶片自动清洗用喷淋控制方法，其特征在于，包括下述步骤：基于晶片表面缺陷图像评估晶片易损性，得到晶片易损系数；基于晶片表面污染物颗粒信息评估晶片污染程度，得到晶片污染系数；基于所述晶片易损系数和所述晶片污染系数确定最佳喷淋压力；基于所述最佳喷淋压力对喷淋装置进行控制，完成晶片清洗；所述得到晶片易损系数的步骤包括：通过边缘检测算法提取所述晶片表面缺陷图像中的缺陷边缘；通过最小二乘法对所述缺陷边缘进行曲线拟合，得到拟合后的缺陷边缘曲线方程，并计算所述缺陷边缘曲线方程的一阶导数和二阶导数；通过所述一阶导数和所述二阶导数计算缺陷边缘锐度系数，缺陷边缘锐度系数计算公式如下： ；式中表示第个缺陷边缘曲线上第个采样点的一阶导数，表示第个缺陷边缘曲线上第个采样点的二阶导数，表示缺陷边缘曲线上的采样点数量，表示第个缺陷的缺陷边缘锐度系数；将所述缺陷边缘锐度系数代入晶片易损系数计算公式计算晶片易损系数，晶片易损系数计算公式如下： ；式中表示第个缺陷的缺陷边缘锐度系数，表示晶片表面的缺陷数量，表示第个缺陷的面积，表示晶片面积，表示晶片的缺陷聚集系数，表示第一调节因子，表示晶片易损系数；计算所述缺陷聚集系数的步骤包括：将所述晶片表面缺陷图像划分为个面积相等的区域，计算每个区域的区域缺陷密度；通过所述区域缺陷密度计算晶片的缺陷聚集系数，缺陷聚集系数计算公式如下： ；式中表示第个区域的区域缺陷密度，表示区域数量，表示晶片的缺陷聚集系数；所述得到晶片污染系数的步骤包括：通过所述晶片表面污染物颗粒信息计算污染物颗粒聚集系数；通过所述污染物颗粒聚集系数计算晶片污染系数，晶片污染系数计算公式如下： ；式中表示第个污染物颗粒的尺寸，表示晶片的最小特征尺寸，表示污染物颗粒的数量，表示污染物颗粒聚集系数，表示第二调节因子，表示晶片污染系数；计算所述污染物颗粒聚集系数的步骤包括：通过所述晶片表面污染物颗粒信息计算晶片表面污染物颗粒的分布中心点；计算污染物颗粒至所述分布中心点的距离和污染物颗粒的分布标准差；通过所述距离和所述分布标准差计算污染物颗粒聚集系数，污染物颗粒聚集系数计算公式如下： ；式中表示第个污染物颗粒至分布中心点的距离，表示污染物颗粒的分布标准差，表示污染物颗粒的数量，表示晶片表面的像素数量，表示污染物颗粒聚集系数。

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