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摘要：本发明提供了一种元胞结构制备方法、元胞结构及IGBT器件，涉及半导体器件技术领域，制备方法包括：获取N型单晶硅衬底，在衬底内形成漂移区；在漂移区表面生长栅极氧化层，在栅极氧化层表面沉积多晶硅形成多晶硅栅极；通过离子注入设备向漂移区注入硼离子，形成阱区；通过离子注入设备形成左发射极和右发射极；隔离介质层淀积与接触孔刻蚀；溅射金属层；衬底背面减薄，并在衬底背面进行离子注入，形成集电区；在衬底背面制备集电极。本发明中，先通过离子注入设备注入硼离子形成阱区，然后再注入砷离子形成左发射极与右发射极，两次注入均在离子注入设备内进行，优化了制备工艺，节省了离子注入时间，提高了元胞结构的制备效率。

主权项：1.一种元胞结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：获取N型单晶硅衬底（101），在衬底（101）内形成漂移区（1）；在漂移区（1）表面生长栅极氧化层（2），在栅极氧化层（2）表面沉积多晶硅形成多晶硅栅极（3）；通过离子注入设备向漂移区（1）注入硼离子，形成阱区（4）；通过离子注入设备向阱区（4）上端左右两侧分别注入砷离子，形成左发射极（5）和右发射极（6）；隔离介质层（7）淀积与接触孔刻蚀；溅射金属层（8）；衬底（101）背面减薄，并在衬底（101）背面进行离子注入，形成集电区（9）；在衬底（101）背面制备集电极（10）；离子注入设备包括制备箱（11）及若干离子注入装置（12），离子注入装置（12）与制备箱（11）的离子注入口连通以向制备箱（11）内发射离子束，制备箱（11）内设置输送装置，输送装置用于将衬底（101）输送至离子注入口处，制备箱（11）设置进料口（13）与出料口（14），进料口（13）处设置进料门，出料口（14）处设置出料门；输送装置包括两条输送轨道（15），两条输送轨道（15）之间间隔设置若干底座（16），底座（16）与轨道滑动连接，底座（16）上表面设置安装腔（17），安装腔（17）用于放置衬底（101），两条输送轨道（15）之间设置输送杆（18），输送杆（18）上端设置等间隔设置若干推杆（19），输送杆（18）下表面左右两端对称设置连接杆（20），连接杆（20）下端与第一连杆（21）中间位置铰接连接，第一连杆（21）一端与第二连杆（22）一端铰接连接，第二连杆（22）另一端与驱动电机（23）输出端连接，驱动电机（23）设置在制备箱（11）上，第一连杆（21）远离第二连杆（22）一端与第三连杆（24）一端铰接连接，第三连杆（24）另一端与制备箱（11）内壁铰接连接；其中，离子注入装置（12）包括第一离子注入装置及两个第二离子注入装置，第一离子注入装置用于向漂移区（1）注入硼离子，两个第二离子注入装置用于向阱区（4）注入砷离子，进行离子注入时，先将带有漂移区（1）的衬底（101）放置到底座（16）上，然后将多个底座（16）通过进料口（13）依次放入制备箱（11）的输送轨道（15）上，多个底座（16）等间隔分布，关闭进料门，然后启动驱动电机（23），驱动电机（23）通过输出端带动第二连杆（22）转动，第二连杆（22）带动第一连杆（21）运动，第一连杆（21）带动第三连杆（24）转动，同时，第一连杆（21）通过连接杆（20）带动输送杆（18）以圆形轨迹运动，输送杆（18）带动多个推杆（19）运动，推杆（19）以圆形轨迹运动，便带动底座（16）在输送轨道（15）上间隔滑动，当底座（16）运动至第一离子注入装置下方时，该第一离子注入装置通过离子注入口发射离子束，向漂移区（1）注入硼离子，然后推杆（19）推动底座（16）远离该离子注入口，在到达第二离子注入装置前进行退火，从而形成阱区（4），当底座（16）到达两个第二离子注入装置下方时，通过两个第二离子注入装置向阱区（4）上端左右两侧分别注入砷离子，退火后形成左发射极（5）和右发射极（6），此时离子注入工作完成。

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