龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本申请提供一种三维半导体结构和三维半导体结构的制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决存储器的存储密度较低的问题。该三维半导体结构包括衬底；堆叠结构，所述堆叠结构位于所述衬底上，所述堆叠结构包括沿第一方向堆叠的多个浮体单元阵列，并在所述第一方向上，多个所述浮体单元阵列之间相互连接且电性隔离；位线，所述位线贯穿所述堆叠结构，并与所述浮体单元阵列电性连接；输出线，所述输出线贯穿所述堆叠结构，并与所述浮体单元阵列电性连接；字线，所述字线与所述浮体单元阵列电性连接。本申请能够使浮体单元阵列实现更小的特征尺寸，优化了体单元阵列的排布，从而提高三维半导体结构的存储密度。
主权项：1.一种三维半导体结构，其特征在于，包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构位于所述衬底上，所述堆叠结构包括沿第一方向堆叠的多个浮体单元阵列，并在所述第一方向上，多个所述浮体单元阵列之间相互连接且电性隔离；位线，所述位线贯穿所述堆叠结构，并与所述浮体单元阵列电性连接；输出线，所述输出线贯穿所述堆叠结构，并与所述浮体单元阵列电性连接；字线，所述字线与所述浮体单元阵列电性连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 三维半导体结构和三维半导体结构的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号