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摘要：本发明涉及一种垂直结构紫外发光二极管及其制备、巨量转移方法，制备方法包括：在衬底表面依次沉积缓冲层、电流扩展层、第一电流阻挡层、牺牲层、第二电流阻挡层和LED目标层，得到外延结构；在所述外延结构上刻蚀阵列图形，得到外延阵列；在所述外延阵列上沉积Pd电极；在包含Pd电极的外延结构的表面沉积SiO2层；在所述外延阵列的SiO2层上开孔，得到开孔的外延阵列；在所述开孔的外延阵列上沉积第一键合金属；将沉积第一键合金属后的外延阵列与沉积第二键合金属的异质衬底进行键合，得到垂直结构的紫外发光二极管。采用本发明的制备方法得到的垂直结构紫外发光二极管的应用范围广。
主权项：1.一种垂直结构的紫外发光二极管，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、电流扩展层、第一电流阻挡层、牺牲层、第二电流阻挡层、多个紫外LED阵列、第二键合金属以及异质衬底；所述紫外LED阵列包括由下至上依次设置的LED目标层、Pd电极以及第一键合金属；所述LED目标层以及所述Pd电极沉积有SiO2层；所述LED目标层包括由下至上依次设置的n型层、有源区、电子阻挡层、p型超晶格层和帽层。
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百度查询： 华南师范大学 一种垂直结构紫外发光二极管及其制备、巨量转移方法
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