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摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层内具有凹槽和位于所述凹槽侧壁的侧墙；在所述介质层顶部表面形成多聚物层；在形成所述多聚物层后，去除位于所述凹槽侧壁上的部分侧墙。本发明有助于保护所述介质层，防止在去除部分侧墙的工艺中，所述介质层受到刻蚀。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层内具有凹槽和位于所述凹槽侧壁的侧墙；在所述介质层顶部表面形成多聚物层，形成所述多聚物层的工艺气体包括四氯化硅、氧气及氟甲烷，所述多聚物层为四氯化硅、氧气及氟甲烷的化学反应产物；在形成所述多聚物层后，去除位于所述凹槽侧壁上的部分侧墙。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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