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摘要：本发明公开了一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，包括透波层、屏蔽层和吸波角锥底座；透波层的一侧面与屏蔽层连接，透波层的另一侧设置吸波角锥底座，吸波角锥底座上等间距的设有呈棱锥体形状的尖劈吸波体，吸波角锥底座与所述透波层之间设置有铁氧体层，吸波角锥底座不与透波层相接触，铁氧体层与屏蔽层之间设置有间隙，所述间隙的距离为8‑18mm，所述间隙的距离以透波层作隔层。此种结构可帮助提高吸波材料垂直入射最大反射率，特别针对30MHz至1GHz低频阶段有特别的好处，电波暗室最关键的性能指标是NSA误差，提高了吸波材料的垂直入射最大反射率，NSA的误差会减小，暗室的性能提高30％。

主权项：1.一种电波暗室提高暗室性能的结构，其特征在于：包括透波层1、屏蔽层2和吸波角锥底座3；所述透波层1的一侧面与所述屏蔽层2连接，所述透波层1的另一侧设置所述吸波角锥底座3，所述吸波角锥底座3上等间距的设有呈棱锥体形状的尖劈吸波体31，所述吸波角锥底座3与所述透波层1之间设置有铁氧体层4，所述吸波角锥底座3不与所述透波层1相接触，所述铁氧体层4与所述屏蔽层2之间设置有间隙，所述间隙的距离为8-18mm，所述间隙的距离以透波层作隔层；所述透波层1的侧面通过胶水与所述屏蔽层2粘接；或者，通过螺钉穿过透波层1与屏蔽层2，所述螺钉与屏蔽层2后的木板固定，所述木板固定在主屏蔽壳体上；所述透波层1的厚度为8-18mm。

全文数据：一种电波暗室提高暗室性能的新型结构技术领域本发明涉及电波暗室改良技术领域，具体为一种电波暗室提高暗室性能的新型结构。背景技术电波暗室，是主要用于模拟开阔场，同时用于辐射无线电骚扰EMI和辐射敏感度EMS测量的密闭屏蔽室。电波暗室的尺寸和射频吸波材料的选用主要由受试设备EUT的外行尺寸和测试要求确定，分1m法、3m法或10m法；电波暗室主要组成结构主要为屏蔽室、和吸波材料。屏蔽室由屏蔽壳体、屏蔽门、通风波导窗及各类电源滤波器等组成。根据用户要求，屏蔽壳体可采用焊接式或拼装式结构均可。吸波材料由，工作频率范围在30MHz～1000MHz的单层铁氧体片，以及锥形含碳吸波材料构成，锥形含碳吸波材料是由聚氨脂泡沫塑料或发泡聚苯乙烯、发泡聚丙烯在碳胶溶液中渗透而成，具有较好的阻燃特性。目前市场1米法，3米法，5米法，10米法电波暗室或微波暗室内吸波材料铁氧体瓦均为暗室壳体内屏蔽层上直接铺设铁氧体瓦再铺设吸波泡沫的一种结构，铁氧体瓦与屏蔽层直接接触，这种结构已经沿用几十年之久，这种结构建成的暗室在低频30MHZ-1GHZ略差，低频的垂直入射最大反射损耗均比较小。发明内容一解决的技术问题针对现有技术的不足，本发明提供了一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，解决了现有电波暗室NSA误差较大的问题。二技术方案为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，包括透波层、屏蔽层和吸波角锥底座；所述透波层的一侧面与所述屏蔽层连接，所述透波层的另一侧设置所述吸波角锥底座，所述吸波角锥底座上等间距的设有呈棱锥体形状的尖劈吸波体，所述吸波角锥底座与所述透波层之间设置有铁氧体层，所述吸波角锥底座不与所述透波层相接触，所述铁氧体层与所述屏蔽层之间设置有间隙，所述间隙的距离为8-18mm，所述间隙的距离以透波层作隔层。作为本发明的进一步优选技术方案，所述透波层的侧面通过胶水与所述屏蔽层粘接；或者，通过螺钉穿过透波层与屏蔽层，所述螺钉与屏蔽层后的木板固定，所述木板固定在主屏蔽壳体上。作为本发明的进一步优选技术方案，所述透波层的厚度为8-18mm。三有益效果本发明提供了一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，具备以下有益效果：该结构包括透波层、屏蔽层和吸波角锥底座，吸波角锥底座与透波层之间设置铁氧体层，铁氧体层设置在吸波角锥底座远离吸波的一侧面与透波层和铁氧体层之间成一体式结构，此种结构可帮助提高吸波材料吸波角锥+铁氧体瓦垂直入射最大反射率，特别针对30MHz至1GHz低频阶段有特别的好处，电波暗室最关键的性能指标是NSA归一化场地衰减误差，提高了吸波材料的垂直入射最大反射率，NSA的误差会减小，暗室的性能提高30％。例如，未加装透波材料的暗室在30MHz至100MHz垂直入射最大反射率大于-18dB，100MHz至1GHz垂直入射最大反射率大于-20dB，加装透波层后30MHz至100MHz垂直入射最大反射率小于-18dB，100MHz至1GHz垂直入射最大反射率小于-20dB，透过测试在30MHz至40GHz频率范围内垂直入射最大反射率均优于未加装透波层的暗室。附图说明图1为本发明的爆炸图；图2为本发明的侧视图；图中，1-透波层、2-屏蔽层、3-吸波角锥底座、4-铁氧体层、31-尖劈吸波体。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。请参阅图1-2，一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，包括透波层1、屏蔽层2和吸波角锥底座3；所述透波层1的一侧面与所述屏蔽层2连接，所述透波层1的另一侧设置所述吸波角锥底座3，所述吸波角锥底座3上等间距的设有呈棱锥体形状的尖劈吸波体31，所述吸波角锥底座3与所述透波层1之间设置有铁氧体层4，所述吸波角锥底座3不与所述透波层1相接触，所述铁氧体层4与所述屏蔽层2之间设置有间隙，所述间隙的距离为8-18mm，所述间隙的距离以透波层作隔层。进一步地，所述透波层1的侧面通过胶水与所述屏蔽层2粘接；或者，通过螺钉穿过透波层1与屏蔽层2，所述螺钉与屏蔽层2后的木板固定，所述木板固定在主屏蔽壳体上。进一步地，所述透波层1的厚度为8-18mm。在本申请文件公开的电波暗室提高暗室性能的新型结构，其安装方式为：在设置在暗室内部的屏蔽层2上铺设一层厚度约为8-18mm的透波层1，在透波层1上再铺设铁氧体层4瓦和吸波角锥底座3，从而即可完成对电波暗室提高暗室性能的结构的安装。该电波暗室提高暗室性能的新型结构，包括透波层、屏蔽层和吸波角锥底座，所述透波层的背面通过胶水与屏蔽层的正面粘接或以螺钉从透波层穿过屏蔽层固定与屏蔽层背后木板上，此木板是固定在主屏蔽壳体上此种结构为双层屏蔽的壳体，且吸波泡沫远离吸波的一端面与透波层接触；还包括铁氧体层，所述铁氧体层设置在吸波角锥底座远离吸波的一端面与透波层之间，且铁氧体层设置在吸波角锥底座3远离吸波的一端面与透波层和铁氧体层之间成一体式结构，此种结构可帮助提高吸波材料吸波角锥+铁氧体瓦垂直入射最大反射率，特别针对30MHz至1GHz低频阶段有特别的好处，电波暗室最关键的性能指标是NSA归一化场地衰减误差，提高了吸波材料的垂直入射最大反射率，NSA的误差会减小，暗室的性能提高30％。例如，未加装透波材料的暗室在30MHz至100MHz垂直入射最大反射率大于-18dB，100MHz至1GHz垂直入射最大反射率大于-20dB，加装透波层后30MHz至100MHz垂直入射最大反射率小于-18dB，100MHz至1GHz垂直入射最大反射率小于-20dB，透过测试在30MHz至40GHz频率范围内垂直入射最大反射率均优于未加装透波层的暗室。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

权利要求：1.一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，其特征在于：包括透波层1、屏蔽层2和吸波角锥底座3；所述透波层1的一侧面与所述屏蔽层2连接，所述透波层1的另一侧设置所述吸波角锥底座3，所述吸波角锥底座3上等间距的设有呈棱锥体形状的尖劈吸波体31，所述吸波角锥底座3与所述透波层1之间设置有铁氧体层4，所述吸波角锥底座3不与所述透波层1相接触，所述铁氧体层4与所述屏蔽层2之间设置有间隙，所述间隙的距离为8-18mm，所述间隙的距离以透波层作隔层。2.根据权1所述的一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，其特征在于：所述透波层1的侧面通过胶水与所述屏蔽层2粘接；或者，通过螺钉穿过透波层1与屏蔽层2，所述螺钉与屏蔽层2后的木板固定，所述木板固定在主屏蔽壳体上。3.根据权1所述的一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，其特征在于：所述透波层1的厚度为8-18mm。

百度查询： 无锡敬仁电子材料科技有限公司 一种电波暗室提高暗室性能的结构