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摘要：本发明提供了一种SGTMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件的内圈区形成有元胞区、触发区和内圈终端区；元胞区中形成有第一MOS管，触发区中形成有TVS管；内圈区的基板主体上形成有第一栅极电阻、第一栅极结构；外圈区的基板主体上形成有第二MOS管、第二栅极电阻、第二栅极结构；互连金属，使TVS管的阳极通过第一栅极结构与第一MOS管的栅极相连接；使第一栅极电阻的一端连接于TVS管的阳极和栅极结构，另一端连接于第一MOS管的源极；使第一MOS的漏极连接于TVS管的阴极和第二MOS管的漏极；使第二栅极电阻的一端连接于第二栅极结构和第一MOS的源极，另一端连接于第二MOS管的源极。

主权项：1.一种SGTMOS工艺TVS器件，其特征在于，包括：基板主体，所述基板主体从中央至外周包括内圈区和外圈区；所述内圈区中形成有元胞区、触发区和内圈终端区；所述元胞区中形成有第一MOS管，所述触发区中形成有TVS管；所述内圈区的基板主体上形成有第一栅极电阻、第一栅极结构；所述第一栅极结构与所述第一MOS管的栅极相连接；所述外圈区的基板主体上形成有第二MOS管、第二栅极电阻、第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述第二MOS管的栅极相连接；所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的同质外延层；所述内圈区和所述外圈区的所述外延层中均形成有：第二导电类型的基区、位于所述基区中的第一导电类型的源区和第二导电类型的体区、相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅，其中所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上方；位于所述内圈区的：所述源区构成所述第一MOS管的源极，所述衬底作为所述第一MOS管的漏极，所述第二多晶硅构成所述第一MOS管的栅极和第一栅极结构；所述元胞区外的所述第一多晶硅构成所述第一栅极电阻，或者所述第一栅极电阻由所述基区构成；位于所述外圈区的：所述源区构成所述第二MOS管的源极，所述衬底作为所述第二MOS管的漏极，所述第二多晶硅构成所述第二MOS管的栅极和第二栅极结构；所述第一多晶硅构成所述第二栅极电阻，或者所述第二栅极电阻由所述基区构成；互连金属，使所述TVS管的阳极通过所述第一栅极结构与所述第一MOS管的栅极相连接；使所述第一栅极电阻的一端连接于所述TVS管的阳极和所述第一栅极结构，另一端连接于所述第一MOS管的源极；使所述第一MOS的漏极连接于所述TVS管的阴极和所述第二MOS管的漏极；使所述第二栅极电阻的一端连接于所述第二栅极结构和所述第一MOS的源极，另一端连接于所述第二MOS管的源极；使所述元胞区中的所述第一多晶硅与所述第一MOS管的源极相接，使所述外圈区中的所述第一多晶硅与所述第二MOS管的源极相接。

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