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摘要：本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，含有：A下列通式1表示的化合物中的一种或二种以上；及B有机溶剂。式中，W为碳数2～50的n价有机基团，X为下列通式2及3表示的末端基团结构，令下列通式2、3的结构的比例为a、b时，满足0.70≤a≤0.99、0.01≤b≤0.30的关系。n为1～10的整数。Z为碳数6～20的k+1价芳香族基团。A为单键、或‑O‑CH2p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。L为单键或‑CH2r‑。l为2或3，r为1～5的整数。
主权项：1.一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，其特征为含有：A下列通式1表示的化合物中的一种或二种以上；及B有机溶剂； 式中，W为碳数2～50的n价有机基团，X为下列通式2及下列通式3表示的末端基团结构中的任一者，令构成该X的下列通式2、下列通式3的结构的比例分别为a、b时，满足a+b＝1.0、0.70≤a≤0.99、0.01≤b≤0.30的关系；n为1～10的整数； 式中，虚线表示原子键；Z表示碳数6～20的k+1价芳香族基团；A为单键、或-O-CH2p-；k为1～5的整数；p为1至10的整数； 式中，虚线表示原子键；L为单键或-CH2r-；l为2或3，r为1～5的整数；其中，该通式2为下列式4、式5、式6中的任一者； 式中，虚线表示原子键；其中，该通式3为下式7或8中的任一者； 式中，虚线表示原子键。
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百度查询： 信越化学工业株式会社 抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法
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