龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对的第一面和第二面；对所述晶圆的第一面进行刻蚀，在所述晶圆内形成凹槽；在所述晶圆的第二面形成第二应变层，所述第二应变层用于使所述晶圆内具有第二应力；在所述凹槽内形成第一应变层，所述第一应变层用于使所述晶圆具有第一应力。从而，改善了半导体结构的应力。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对的第一面和第二面；对所述晶圆的第一面进行刻蚀，在所述晶圆内形成凹槽；在所述晶圆的第二面形成第二应变层，所述第二应变层用于使所述晶圆内具有第二应力；通过第二应力对第一应力的抵消，使得第一应力和第二应力之间更为平衡、晶圆内整体所受到的应力也较为均匀；在所述凹槽内形成第一应变层，所述第一应变层用于使所述晶圆具有第一应力；形成所述第二应变层的方法包括：在形成所述第一应变层前，采用炉管工艺在所述晶圆的第一面和第二面形成第二应变材料层；刻蚀所述第一面的第二应变材料层，直至去除所述第一面的第二应变材料层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构的形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号