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摘要：提供一种半导体装置以及操作方法。半导体装置包括测试电路，该测试电路包括：测试晶体管，其用于使用应力电压测试时间相关的介电击穿TDDB特性；输入开关，其被设置在被施加了应力电压的电压施加节点与将应力电压传输到测试晶体管的输入节点之间；以及保护开关，其被设置在输入节点和接地节点之间。
主权项：1.一种半导体装置，包括：测试电路，其包括：测试晶体管，其用于使用应力电压来测试时间相关的介电击穿特性；输入开关，其位于被施加了所述应力电压的电压施加节点与电连接到所述测试晶体管的输入节点之间；以及保护开关，其位于所述输入节点与接地节点之间，其中，所述保护开关的一侧连接至所述测试晶体管的栅极，所述保护开关的另一侧直接连接至所述测试晶体管的源极、漏极和主体，其中，当所述保护开关导通时，所述测试晶体管的所述栅极、所述源极、所述漏极和所述主体连接到所述接地节点。
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百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置及其操作方法
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