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摘要：本发明公开了底盘主驱技术领域的一种高压系统低速无人驾驶底盘主驱硬件方案，包括相连的负压产生电路和相电流过流保护电路；所述相电流保护电路包括MCU、LDO、驱动芯片、U相驱动器、V相驱动器、W相驱动器、开关管SiCmosfet、高压输入电源、电机、采样电阻以及信号放大器；所述负压产生电路的第一输出端与所述LDO的第一端连接，所述负压产生电路的第二输出端与所述驱动芯片的第二输入端连接，所述LDO的第二端与所述MCU的第一输入端连接，所述MCU的输出端与所述驱动芯片的第一输入端连接。本发明能够解决由于现有技术所采用的插针式绝缘栅双极晶体管不适用于高电压平台，造成使用率下降，坏件率上升，电功率较小的技术问题。
主权项：1.一种高压系统低速无人驾驶底盘主驱硬件方案，其特征在于，包括相连的负压产生电路和相电流过流保护电路；所述相电流保护电路包括MCU、LDO、驱动芯片、U相驱动器、V相驱动器、W相驱动器、开关管SiCmosfet、高压输入电源、电机、采样电阻以及信号放大器；所述负压产生电路的第一输出端与所述LDO的第一端连接，所述负压产生电路的第二输出端与所述驱动芯片的第二输入端连接，所述LDO的第二端与所述MCU的第一输入端连接，所述MCU的输出端与所述驱动芯片的第一输入端连接，所述驱动芯片的第一输出端和第二输出端均与所述U相驱动器、V相驱动器和W相驱动器的第一端连接，所述U相驱动器、V相驱动器和W相驱动器的第二端均与所述开关管SiCmosfet的栅极连接，所述开关管SiCmosfet的源极与所述电机的第一端连接，所述电机的第二端与所述MCU的第二输入端连接，所述开关管SiCmosfet的漏极与所述高压输入电源的第一输出端连接，所述采样电阻的一端与所述开关管SiCmosfet的源极相连，另一端接地，所述信号放大器的一端与所述MCU的第三输入端连接，另一端与所述开关管SiCmosfet源极和采样电阻之间的连接点相连。
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