龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本公开涉及用于减少冷凝缺陷的热离子植入。本公开涉及去除蚀刻图案化层可能产生的残余气体和或冷凝缺陷的方法。一个示例性方法包括在工件上形成图案化堆栈。该方法还包括在图案化堆栈上执行光刻工艺和蚀刻工艺后，执行热离子植入工艺，以在工件中形成植入区域。热离子植入工艺被配置为去除可能来自在图案化堆栈上执行的蚀刻工艺的残留气体和或冷凝缺陷。热离子植入工艺包括预热工艺和离子植入工艺。预热工艺的预热温度高于冷凝缺陷的沸点。在一些实施例中，离子植入工艺的植入温度高于冷凝缺陷的沸点。
主权项：1.一种用于热离子植入的方法，包括：在工件上形成图案化堆栈；以及在所述图案化堆栈上执行光刻工艺和蚀刻工艺后，执行热离子植入工艺，以在所述工件中形成植入区域，其中，所述热离子植入工艺去除冷凝缺陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 用于减少冷凝缺陷的热离子植入
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号