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摘要：本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；第一掺杂区，设于衬底内；第二掺杂区，设于衬底内；沟槽，设于衬底内，且从第二掺杂区的表面开口并延伸至第一掺杂区，以暴露部分第一掺杂区；漏区，设于暴露的部分第一掺杂区内；源区，设于第二掺杂区内；栅极，设于衬底上，源区位于漏区和栅极之间。本申请通过将漏区漏端设置在沟槽底部的第一掺杂区内，以及将器件端口布局成DrainSourceGate的结构，这样，源区源端的结构可以屏蔽漏区漏端与栅极之间的Cgd电容，从而有效降低漏区漏端与栅极之间的Cgd电容，提升器件的工作频率。
主权项：1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一掺杂区，设于所述衬底内；第二掺杂区，设于所述衬底内，且从所述衬底的表面延伸至所述第一掺杂区；沟槽，设于所述衬底内，且从所述第二掺杂区的表面开口并延伸至所述第一掺杂区，以暴露部分第一掺杂区；漏区，设于暴露的所述部分第一掺杂区内；源区，设于所述第二掺杂区内；栅极，设于所述衬底上，所述源区位于所述漏区和所述栅极之间。
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