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摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括：堆叠结构，包括交替堆叠的电介质层和栅极层，且具有核心区和连接区；以及栅线缝隙结构，沿堆叠结构的堆叠方向贯穿堆叠结构，且沿第一方向从核心区延伸至连接区，其中，第一方向垂直于堆叠方向，至少一个栅极层包括：第一部分，靠近栅线缝隙结构并沿第一方向从核心区延伸至连接区；以及第二部分，沿第二方向与第一部分相邻分布，其中，第二方向垂直于第一方向和堆叠方向，第二部分与第一部分包括不同的材料。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：堆叠结构，包括交替堆叠的电介质层和栅极层，且具有核心区和连接区；以及栅线缝隙结构，沿所述堆叠结构的堆叠方向贯穿所述堆叠结构，且沿第一方向从所述核心区延伸至所述连接区，其中，所述第一方向垂直于所述堆叠方向，至少一个所述栅极层包括：第一部分，靠近所述栅线缝隙结构并沿所述第一方向从所述核心区延伸至所述连接区；以及第二部分，沿第二方向与所述第一部分相邻分布，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向和所述堆叠方向，所述第二部分与所述第一部分包括不同的材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其制造方法、存储系统
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