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摘要：本发明公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、一个以上的高频电源和修正电源。一个以上的高频电源构成为能够在腔室内从气体生成等离子体的开启期间中对腔室供给一个以上的高频电功率。修正电源构成为能够在开启期间内的一个以上的第一期间中，对边缘环施加负电压。一个以上的第一期间的每一者相当于多个最长波形周期的长度，最长波形周期是一个以上的高频电功率的波形周期中的最长波形周期。修正电源构成为能够在开启期间内的一个以上的第二期间中，停止对边缘环施加负电压的。一个以上的第二期间的每一者相当于多个最长波形周期的长度。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室；基片支承部，其设置于所述腔室内，构成为能够支承载置于其上的边缘环和基片，该基片配置于在所述基片支承部上由所述边缘环包围的区域内；与所述腔室电耦合的一个以上的高频电源，其包含与所述基片支承部内的电极电连接的高频电源；和修正电源，其构成为能够对所述边缘环施加负电压，所述一个以上的高频电源构成为能够在所述腔室内从气体生成等离子体的开启期间中供给一个以上的高频电功率，所述修正电源构成为：能够在所述开启期间内的一个以上的第一期间中，对所述边缘环施加所述负电压，其中，该一个以上的第一期间的每一者相当于多个最长波形周期的长度，所述最长波形周期是从所述一个以上的高频电源供给的一个以上的高频电功率的波形周期中的最长波形周期，能够在所述开启期间内的一个以上的第二期间中，停止对所述边缘环施加所述负电压，其中，该一个以上的第二期间的每一者相当于多个所述最长波形周期的长度。
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百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
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