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摘要：本发明属于紫外光电探测技术领域，涉及一种自支撑SiCZnS异质结纳米阵列及其制备方法和在光电化学型光电探测器的应用。本发明自支撑SiCZnS异质结纳米阵列采用阳极氧化法和化学浴沉积法制备，工艺简单且成本低廉，为大规模生产创造了条件，预示着该紫外光电探测器在实际应用中的广阔前景，本发明纳米阵列界面处适量的缺陷不仅延长了载流子的寿命，还提供了额外的活性位点，进一步加强了光电流的产生。
主权项：1.一种自支撑SiCZnS异质结纳米阵列，其特征在于，所述纳米阵列通过在SiC基底上进行阳极氧化，然后进行化学浴沉积在SiC基底上生长出ZnS。
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百度查询： 宁波工程学院 一种自支撑SiC/ZnS异质结纳米阵列及其制备方法和在光电化学型光电探测器的应用
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