龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供一种双量程加速度传感器结构及制作方法，该方法包括：提供衬底；于衬底背面形成第一沟槽，于衬底正面形成多个压敏电阻；于衬底的正面形成介质层，介质层中设置有开口显露压敏电阻；于衬底内部选择性腐蚀出基于悬臂梁结构的高量程加速度传感器；于衬底正面形成金属层，金属层还延伸入开口中与压敏电阻电连接；于第一沟槽中形成预设深度的第五沟槽，于衬底的正面形成第六沟槽，第六沟槽与第五沟槽在垂直方向上相对应，且第六沟槽和第五沟槽连通。本发明的双量程加速度传感器结构及制作方法中，通过将低量程加速度传感器和高量程加速度传感器在单芯片上一体化集成，具有高灵敏、高频响、高抗过载、低成本、微型化的优点。
主权项：1.一种双量程加速度传感器结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底包括相对设置的正面与背面，其中，所述衬底划分为低量程区域和高量程区域；于所述衬底的背面形成第一沟槽，所述第一沟槽位于所述低量程区域，于所述衬底的正面形成多个压敏电阻，其中，至少一部分所述压敏电阻位于所述低量程区域，至少一部分所述压敏电阻位于所述高量程区域；于所述衬底的正面形成介质层，于所述介质层的预设位置形成开口，所述开口显露所述压敏电阻；于所述衬底的正面形成第二沟槽，且于所述第二沟槽的侧壁形成阻刻层，其中，所述第二沟槽位于所述高量程区域；基于所述第二沟槽于所述衬底中形成预设深度的第三沟槽，基于所述第三沟槽于所述衬底中形成横向扩展的第四沟槽；于所述介质层上形成金属层，所述金属层还填充至所述开口中与所述压敏电阻电连接；于所述第一沟槽中形成预设深度的第五沟槽；于所述衬底的正面形成第六沟槽，所述第六沟槽与所述第五沟槽在垂直方向上相对应，且所述第六沟槽和所述第五沟槽连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种双量程加速度传感器结构及制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号