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摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构和电子器件，涉及半导体技术领域。该半导体结构至少包括在碳化硅基体上形成的模拟器件和功率器件，模拟器件和功率器件均为增强型晶体管结构，模拟器件至少包括一种导电类型的晶体管单元，模拟器件用于生成驱动信号；功率器件至少包括沿半导体结构横向分布的第一功率器件和第二功率器件，第一功率器件的源极区与第二功率器件的漏极区电连接，第一功率器件的栅极区与第二功率器件的栅极区均与模拟器件的输出端电连接，用于在驱动信号的作用下从第一功率器件的源极区与第二功率器件的漏极区的连接点输出方波信号。提供了一种成本较低、封装寄生较小且性能更优的半导体结构。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括在碳化硅基体上形成的模拟器件和功率器件，所述模拟器件和所述功率器件均为增强型晶体管结构，其中：所述模拟器件至少包括一种导电类型的晶体管单元，所述模拟器件用于生成驱动信号；所述功率器件至少包括沿所述半导体结构横向分布的第一功率器件和第二功率器件，所述第二功率器件的源极区接地；所述第一功率器件的源极区与所述第二功率器件的漏极区电连接，所述第一功率器件的栅极区与所述第二功率器件的栅极区均与所述模拟器件的输出端电连接，用于在所述驱动信号的作用下从所述第一功率器件的源极区与所述第二功率器件的漏极区的连接点输出方波信号；所述第一功率器件用于控制器件结构的开关。
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百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 半导体结构和电子器件
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