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摘要：本申请公开了一种基于LPCVD炉管的薄膜制备方法、相关薄膜及设备，可用于薄膜制备领域，该方法中，首先，提供硅晶圆；而后，通入氧化剂气体，在预设的氧化温度下，以干氧法在所述硅晶圆表面生长第一氧化硅薄膜；最后，通入硅烷和氮气，以化学气相沉积法，在所述氧化硅薄膜背离所述硅晶圆的一侧沉积氮化硅薄膜，得到氧化硅‑氮化硅薄膜叠层。由此，可以避免转移硅晶圆的过程中引入污染，一方面可以提高氧化硅‑氮化硅薄膜叠层的质量，进而提升半导体器件的性能；另一方面，也不必在生长氧化硅薄膜和沉积氮化硅薄膜之间对硅晶圆进行清洗，可以降低薄膜的制备成本。此外，所需使用的机器数量少且种类单一，占地面积小，还能够大大降低生产成本。
主权项：1.一种基于LPCVD炉管的薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供硅晶圆；通入氧化剂气体，在预设的氧化温度下，以干氧法在所述硅晶圆表面生长第一氧化硅薄膜；通入硅烷和氮气，以化学气相沉积法，在所述氧化硅薄膜背离所述硅晶圆的一侧沉积氮化硅薄膜，得到氧化硅-氮化硅薄膜叠层。
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百度查询： 珠海创飞芯科技有限公司 基于LPCVD炉管的薄膜制备方法、相关薄膜及设备
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