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摘要：本发明涉及一种提高钨合金偏滤器抗氘氚滞留的方法及钨合金偏滤器，属于钨合金偏滤器技术领域。本发明通过在钨合金偏滤器表面构筑和调控双尺度微纳复合结构，使其表面呈现“疏离子效应”，可有效减小钨合金表面的氘氚滞留量。钨合金表面的微纳复合结构在承受高温等离子体氘和氚的持续轰击时，微米级结构引起的微米级起伏可改变氘氚离子的入射角度和反射方向，增加反射系数；纳米级结构可提高比表面积，进一步提升氘氚离子的反射系数和释放作用。钨合金表面的微米级结构和纳米级结构互相影响，协同增效，可有效减小氘氚等离子体在钨合金表面的团簇和富集，使其呈现“疏离子化”效应，进而减小钨合金表面的氘氚离子滞留量。
主权项：1.一种提高钨合金偏滤器抗氘氚滞留的方法，其特征在于，在钨合金偏滤器氘氚离子轰击面上构筑双尺度微纳复合结构，所述双尺度微纳复合结构包括微米级凹凸表面和分布在微米级凹凸表面上的纳米级条纹，利用双尺度微纳复合结构改变氘氚离子的入射角度和反射方向，减少钨合金表面的氘氚离子滞留量。
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百度查询： 河南科技大学 一种提高钨合金偏滤器抗氘氚滞留的方法及钨合金偏滤器
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