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摘要：本申请提供能够提高特性的晶片和半导体装置。根据实施方式，晶片包含硅基板、第1层和多个结构体。所述第1层包含铝和氮。所述多个结构体在从所述硅基板向所述第1层的第1方向上设置在所述硅基板的一部分与所述第1层的一部分之间。所述多个结构体包含：包含选自Ni、Cu、Cr、Mn、Fe和Co中的至少一个的第1元素、和硅。所述第1层的另一部分与所述硅基板的另一部分相接。
主权项：1.晶片，其包括：硅基板、包含铝和氮的第1层、和在从所述硅基板向所述第1层的第1方向上设置在所述硅基板的一部分与所述第1层的一部分之间的多个结构体，所述多个结构体包含：包含选自Ni、Cu、Cr、Mn、Fe和Co中的至少一个的第1元素、和硅，所述第1层的另一部分与所述硅基板的另一部分相接。
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百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 晶片和半导体装置
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