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摘要：本发明公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法与应用。该Micro‑LED芯片包括LED芯片结构和第一超表面导电结构层，该第一超表面导电结构层包括：电性结合于LED芯片结构的出光面上的第一导电层；以及，与第一导电层层叠设置和或一体设置的超表面结构；该超表面结构至少用于对从该出光面射出的光的出射角度或波长进行调控。基于本发明的技术方案，可以实现Micro‑LED芯片的全彩化，增加出光率和准直性，并可以采用大规模标准半导体工艺制程实现Micro‑LED芯片的制备和Micro‑LED像素与显示单元的一体化，提高Micro‑LED芯片的生产效率和良品率、降低成本。
主权项：1.一种Micro-LED芯片，包括LED芯片结构，其特征在于：所述Micro-LED芯片还包括第一超表面导电结构层，所述第一超表面导电结构层包括：第一导电层，其电性结合于LED芯片结构的出光面上；超表面结构，其与第一导电层层叠设置和或一体设置，并至少用于对从所述出光面射出的光的出射角度和或波长进行调控。
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百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Micro-LED芯片及其制备方法与应用
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