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摘要：本申请涉及一种反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件。其中，反熔丝阵列结构具有阵列区与边缘区，边缘区环绕阵列区，反熔丝阵列结构包括：反熔丝单元，位于阵列区，且在阵列区阵列排布；伪熔丝单元，位于边缘区；反熔丝单元与伪熔丝单元均包括选择晶体管以及反熔丝器件，选择晶体管的源区与漏区中的其中一者连接位线，另一者连接反熔丝器件；在第一方向上，同一行反熔丝器件连接同一编程导线，同一行选择晶体管连接同一字线；在第二方向上，同一列选择晶体管连接同一位线。本申请实施例可以有效提高反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件可靠性。
主权项：1.一种反熔丝阵列结构，其特征在于，具有阵列区与边缘区，所述边缘区环绕所述阵列区，所述反熔丝阵列结构包括：反熔丝单元，位于所述阵列区，且在所述阵列区阵列排布；伪熔丝单元，位于所述边缘区；所述反熔丝单元与所述伪熔丝单元均包括选择晶体管以及反熔丝器件，所述选择晶体管的源区与漏区中的其中一者连接位线，另一者连接所述反熔丝器件；在第一方向上，同一行所述反熔丝器件连接同一编程导线，同一行所述选择晶体管连接同一字线；在第二方向上，同一列所述选择晶体管连接同一位线。
全文数据：
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件
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