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摘要：公开了一种降低了损耗的功率半导体器件及其制造方法。功率半导体器件包括：第一传导型的第一漂移区；第一传导型的第二漂移区，在所述第一漂移区的上部外延生长而形成；以及第二传导型的埋设离子区，埋设于所述第二漂移区的内部。
主权项：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：第一传导型的第一漂移区；第一传导型的第二漂移区，外延生长形成在所述第一漂移区的上部；以及第二传导型的埋设离子区，埋设于所述第二漂移区的内部，其中，所述埋设离子区沿侧向以预设的延伸长度w-BPR形成，并且在侧向上与相邻的埋设离子区隔开预设的间距值X，所述第二漂移区外延生长成离子浓度相对高于所述第一漂移区，以对应于因形成所述埋设离子区而增加的第二传导型的离子量。
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百度查询： 特瑞诺科技股份有限公司 降低了损耗的功率半导体器件及其制造方法
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