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摘要：本申请是针对蚀刻组成物，其可用于如选择性地从半导体衬底上去除硅，作为多步骤半导体制程中的中间步骤。更具体地，本申请涉及相对于SiOx及或SiN，选择性地化学蚀刻Si的组成物及方法。
主权项：1.一种蚀刻组成物，包括：至少一种氢氧化季铵或其盐；至少一种氧化剂；至少一种多胺；及水；其中所述组成物具有至少约13的pH。
全文数据：
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百度查询： 富士胶片电子材料美国有限公司 蚀刻组成物
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