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摘要：本发明公开了用于MOSFET制备的栅极氧化层稳定性监测方法，涉及半导体器件制造相关领域，该方法包括：利用传感器组进行栅极氧化层的实时数据监测；将实时数据集传送至中央数据库进行时序数据分析，提取时序关键特征；输入至独立异常识别通道，输出参数异常识别值；以标注数据库建立条件依赖关系，初始化联合预测网络，对参数异常识别值进行栅极氧化层失效的时序联合概率预测，建立时序联合概率预测结果，根据时序联合概率预测结果完成稳定性监测。解决了现有MOSFET栅极氧化层稳定性监测存在的实时性差，难以及时预警潜在问题的技术问题，达到了实时监测栅极氧化层的状态变化，及时发现潜在问题的技术效果。
主权项：1.用于MOSFET制备的栅极氧化层稳定性监测方法，其特征在于，所述方法包括：利用传感器组进行栅极氧化层的实时数据监测，建立实时数据集，所述传感器组包括电学传感器、温湿度传感器、应力传感器、光学传感器；通过物联网平台将实时数据集传送至中央数据库，并对实时数据集中与传感器映射的每一组数据进行时序数据分析，提取时序关键特征；将所述时序关键特征作为输入数据，输入至独立异常识别通道，所述独立异常识别通道内集成有与传感器映射的识别子通道，通过所述独立异常识别通道输出带有时序标识的参数异常识别值；获取标注数据库，以标注数据库建立条件依赖关系，并基于所述条件依赖关系初始化联合预测网络，基于初始化完成的联合预测网络对参数异常识别值进行栅极氧化层失效的时序联合概率预测，建立时序联合概率预测结果，根据时序联合概率预测结果完成稳定性监测。
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百度查询： 浙江广芯微电子有限公司 用于MOSFET制备的栅极氧化层稳定性监测方法
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