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摘要：本发明提供一种腔室清洁方法，包括：第一等离子体刻蚀步，还包括第二等离子体刻蚀步和第三等离子体刻蚀步二者中的至少一者；第一等离子体刻蚀步用于去除工艺腔室中与等离子体接触的表面上的有机聚合物；第二等离子体刻蚀步用于去除工艺腔室中的指定部件与等离子体接触的表面上的无机沉积物以及孔隙结构中的有机聚合物中的至少一者；第三等离子体刻蚀步用于去除工艺腔室中与等离子体接触的表面上的金属沉积副产物。本发明可以解决在加工的晶圆达到一定片数或者工艺时间达到一定时长时，刻蚀速率逐渐下降的问题，从而可以提高工艺一致性和重复性，进而影响产品良率。
主权项：1.一种腔室清洁方法，其特征在于，包括：第一等离子体刻蚀步，还包括第二等离子体刻蚀步和第三等离子体刻蚀步二者中的至少一者；所述第一等离子体刻蚀步用于去除工艺腔室中与等离子体接触的表面上的有机聚合物；所述第二等离子体刻蚀步用于去除所述工艺腔室中的指定部件与等离子体接触的表面上的无机沉积物以及孔隙结构中的有机聚合物中的至少一者；所述第三等离子体刻蚀步用于去除所述工艺腔室中与等离子体接触的表面上的金属沉积副产物。
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