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摘要：本发明公开了一种全包围栅极场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，延展结构包括源极延展结构和或漏极延展结构，源极、栅极结构、漏极、源极延展结构和漏极延展结构均设置于衬底的同一侧，栅极结构设置于源极与漏极之间，源极延展结构设置于源极与栅极结构之间，漏极延展结构设置于漏极与栅极结构之间，源极和漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，源极延展结构和漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，源极和源极延展结构的离子掺杂浓度不同，漏极和漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。本发明能够优化晶体管性能，提高电路设计的灵活度。
主权项：1.一种全包围栅极场效应晶体管，其特征在于：包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，所述延展结构包括源极延展结构和或漏极延展结构，所述源极、所述栅极结构、所述漏极、所述源极延展结构和所述漏极延展结构均设置于所述衬底的同一侧，所述栅极结构设置于所述源极与所述漏极之间，所述源极延展结构设置于所述源极与所述栅极结构之间，所述漏极延展结构设置于所述漏极与所述栅极结构之间，所述源极和所述漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，所述源极延展结构和所述漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，所述源极和所述源极延展结构的离子掺杂浓度不同，所述漏极和所述漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。
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百度查询： 上海大学 全包围栅极场效应晶体管及其制备方法
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