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摘要：本申请提供一种压电谐振器的制备方法，包括：提供绝缘体上硅基底，绝缘体上硅基底包括依次层叠设置的第一绝缘层、第一硅层、第二绝缘层以及第二硅层，绝缘体上硅基底具有锚点区和主体区，其中，第二绝缘层的声阻抗与第一硅层、第二硅层的声阻抗均不同，第一绝缘层的声阻抗与第一硅层的声阻抗不同；对绝缘体上硅基底进行图案化处理，于主体区形成凹槽；将硅衬底键合于绝缘体上硅基底设置有凹槽的一面，以配合凹槽形成空腔；在第二硅层上形成驱动功能层；选择性地去除绝缘体上硅基底以在主体区形成与空腔正对设置的谐振主体，在锚点区配合硅衬底形成用于固定谐振主体的锚固件。由此能够提高器件的性能。
主权项：1.一种压电谐振器的制备方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅基底，所述绝缘体上硅基底包括依次层叠设置的第一绝缘层、第一硅层、第二绝缘层以及第二硅层，所述绝缘体上硅基底具有锚点区和主体区，其中，所述第二绝缘层的声阻抗与所述第一硅层、所述第二硅层的声阻抗均不同，所述第一绝缘层的声阻抗与所述第一硅层的声阻抗不同；对所述绝缘体上硅基底进行图案化处理，于所述主体区形成凹槽；将硅衬底键合于所述绝缘体上硅基底设置有所述凹槽的一面，以配合所述凹槽形成空腔；在所述第二硅层上形成驱动功能层；选择性地去除所述绝缘体上硅基底以在所述主体区形成与空腔正对设置的谐振主体，在所述锚点区配合所述硅衬底形成用于固定所述谐振主体的锚固件。
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百度查询： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司 压电谐振器及其制备方法
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