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摘要：为了解决传统CVD法制备MoS2单晶薄膜工艺中，由于工艺过程未知，经常无法稳定、可控的生长出MoS2单晶薄膜的问题，通过改进的工艺方法并配合原位观测装置，能有效得确保生长出MoS2单晶薄膜的成功率和稳定性；本发明中，通过显微镜原位观测生长过程中前驱体状态和形貌确定通入硫源的时间；可以防止因为硫源进入体系的时间不对而导致实验的失败；通过显微镜原位观测生长的MoS2单晶薄膜的形态确定反应体系中硫组分浓度对反应过程的影响，以达到反应过程中通过控制硫源浓度控制MoS2单晶生长的形貌和质量；通过显微镜原位观测生长的MoS2单晶薄膜是否开始被腐蚀确定反应停止的时间，防止反应过程中产生的副产物破坏MoS2单晶薄膜。
主权项：1.一种可视化MoS2薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，原料准备，包括：S1.1取MoO3粉末研磨，得到Mo源前驱体，将Mo源前驱体均匀地洒在衬底上，并置于载料坩埚中；取S粉置于另一个载料坩埚中；S1.2分别将两个载料坩埚置于炉管的低温区；S2.实验过程，包括：S2.1先向炉管中通入载气；S2.2将装载衬底的载料坩埚置于炉管的高温区；S2.3温控设备控制升温程序；S2.4先用显微镜观察找到目标样品区域并调焦至清晰界面；S3.通过显微镜原位观察试验现象，控制MoS2薄膜形貌，包括：S3.1当观察样品边缘出现黄色光晕后然后慢慢融化成液体球状时，将装有S粉的载料坩埚慢慢靠近炉管的高温区；S3.2继续观察，观察到样品周围出现微小晶核，随后慢慢在衬底上沉积淡蓝色的三角形晶体；装有S粉的载料坩埚继续靠近炉管的高温区，单层三角形不断延续生长扩大；随着S粉的载料坩埚继续靠近炉管的高温区，当观察发现沉积淡蓝色的单层MoS2薄膜开始变大增厚，显微镜观察下颜色加深并且出现明显高亮的部分时，将装有S粉的载料坩埚返回炉管的低温区；S3.3继续观察，观察到原来已经生长的三角形慢慢减少或者遭到刻蚀，停止加热，待热台恢复至室温后取出样品。
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百度查询： 苏州基元科技有限公司 一种可视化MoS2单晶薄膜制备方法
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