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摘要：本申请提供了一种高压启动器及其制备方法和开关电源。该启动器中，第一晶体管包括：第一掺杂区、第一有源区和第一栅极；第二晶体管包括：第三掺杂区、第三有源区和第二栅极；第一晶体管和第二晶体管共用衬底、第二掺杂区和第二有源区；位于衬底的表面上的氧化层中包括第一区域，第一区域位于第一掺杂区与第二掺杂区之间，和或，第一区域位于第二掺杂区与第三掺杂区之间，位于第一区域的衬底有离子注入；第一电阻，位于第一区域上；第一栅极和第二栅极，位于衬底的表面。该启动器将多个晶体管集成在同一衬底上且共用漏极，同时将第一电阻制备在晶体管的氧化层上，有效的减小启动器的面积，简化了启动器的设计，提高器件的集成度，封装简单。
主权项：1.一种高压启动器，其特征在于，所述启动器包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括：第一掺杂区、第一有源区和第一栅极；所述第二晶体管包括：第三掺杂区、第三有源区和第二栅极；所述第一晶体管和所述第二晶体管共用衬底、第二掺杂区和第二有源区；所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区，分别位于所述衬底上；所述第一有源区，位于所述第一掺杂区上；所述第二有源区，位于所述第二掺杂区上；所述第三有源区，位于所述第三掺杂区上；氧化层，位于所述衬底的表面上，所述氧化层中包括第一区域，所述第一区域位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间，和或，所述第一区域位于所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间，位于所述第一区域的所述衬底有离子注入；所述第一栅极和所述第二栅极，位于所述衬底的表面；第一电阻，位于所述第一区域上。
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百度查询： 珠海楠欣半导体科技有限公司 一种高压启动器及其制备方法和开关电源
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