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摘要：本申请公开了一种掩膜制造方法、装置、存储介质及电子设备，其中，该掩膜制造方法包括确定初始版图的若干测量点，并获取测量点的蚀刻偏差值及其对应的初始特征信息；利用流形对初始特征信息进行修正，得到目标特征信息；采用目标特征信息和蚀刻偏差值进行模型训练，生成偏差值预测模型；利用偏差值预测模型获取初始版图的全部蚀刻偏差值；基于全部蚀刻偏差值生成掩膜版图案，进而进行掩膜制造。本方案可以降低掩膜制造过程中的蚀刻偏差。
主权项：1.一种掩膜制造方法，其特征在于，包括：确定初始版图的若干测量点，并获取所述测量点的蚀刻偏差值及其对应的初始特征信息；利用流形对所述初始特征信息进行修正，得到目标特征信息；采用所述目标特征信息和所述蚀刻偏差值进行模型训练，生成偏差值预测模型；利用所述偏差值预测模型获取所述初始版图的全部蚀刻偏差值；基于所述全部蚀刻偏差值生成掩膜版图案，进而进行掩膜制造。
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百度查询： 华芯程(杭州)科技有限公司 掩膜制造方法、装置、存储介质及电子设备
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