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摘要：本发明提供一种电子源结构及制作方法，包括：提供第一基板，第一基板上形成有层叠的第一多孔层和第二多孔层；于第二多孔层上形成背栅层；提供第二基板，将背栅层键合于第二基板；剥离第一多孔层以去除第一基板；刻蚀第二多孔层形成凹槽，于凹槽中填充有绝缘介质层，并形成顶电极和背电极，顶电极与第二多孔层电连接，背电极贯穿绝缘介质层与背栅层电连接。本发明通过第一多孔层裂解以辅助转移作为有源层的第二多孔层，有效提高了有源层的转移成功率；并且，通过第一多孔层裂解转移有源层，提升了基板的灵活性，基板的材料类型、结构类型、功能类型可以灵活选配，提升了电子源与CMOS系统、MEMS系统等其他辅助功能系统的集成灵活度。
主权项：1.一种电子源结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一基板，所述第一基板上形成有层叠的第一多孔层和第二多孔层；于所述第二多孔层远离所述第一多孔层的一侧形成背栅层；提供第二基板，将所述背栅层键合于所述第二基板，所述背栅层与所述第二基板之间设置有绝缘层；剥离所述第一多孔层以去除所述第一基板，并去除所述第二多孔层上残留的所述第一多孔层；刻蚀所述第二多孔层形成贯穿所述第二多孔层的凹槽，所述凹槽中填充有绝缘介质层，并于所述第二多孔层远离所述第二基板的一侧形成顶电极和背电极，所述顶电极与所述第二多孔层电连接，所述背电极贯穿所述绝缘介质层与所述背栅层电连接。
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百度查询： 上海集成电路材料研究院有限公司 一种电子源结构及制作方法
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