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摘要：本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片的制备方法，包括以下步骤：S1、将硅片置于真空烘箱内，升温至硅片温度达到90~130℃并维持；S2、对真空烘箱内进行多次抽真空、充氮气循环操作置换其中的空气；然后抽真空至1000pa，充入HMDS药液并维持反应一段时间；再次进行抽真空、充入氮气的循环操作去除残余的HMDS，即得电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片。该制备方法通过真空烘箱将HMDS沉积到硅片上，调整加热处理、改变充液时间、保持时间参数等，并通过测量接触角的大小系统的研究了HMDS沉积工序对硅片表面改性的效果，其接触角大，且稳定性好。
主权项：1.一种电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅片置于真空烘箱内，升温至硅片温度达到90~130℃并维持；S2、对真空烘箱内进行多次抽真空、充氮气循环操作置换其中的空气；然后抽真空至1000-1500pa，充入HMDS药液并维持反应一段时间；再次进行抽真空、充入氮气的循环操作去除残余的HMDS，即得电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片。
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百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片的制备方法
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