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摘要：本发明涉及激光器技术领域，公开了一种边发射激光器及其制备方法。制备方法包括：形成激光器主体结构，包括依次堆叠的衬底层、有源层和覆盖层；对覆盖层上的第一目标区域进行离子注入处理以形成离子注入区，覆盖层上被第一目标区域包围着的第二目标区域用于形成电流注入区；在离子注入区内形成与电流注入区间隔的沟槽；在覆盖层上形成绝缘层，绝缘层上形成窗口露出电流注入区；在绝缘层表面形成第一金属电极，与电流注入区接触；在衬底层另一侧表面形成第二金属电极。本发明通过将离子注入以及距离电流注入区一定距离刻蚀沟槽相结合，形成折射率和增益混合控制，减小慢轴发散角以提高光束质量，避免额外的效率损失和输出功率降低。
主权项：1.一种边发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：形成激光器主体结构，所述激光器主体结构包括依次堆叠的衬底层、有源层和覆盖层；对所述覆盖层上的第一目标区域进行离子注入处理，以形成离子注入区，所述覆盖层上被所述第一目标区域包围着的第二目标区域用于形成电流注入区；在所述离子注入区内形成沟槽，所述沟槽与所述电流注入区间隔设置；在所述覆盖层背离所述衬底层的一侧表面形成绝缘层，以及在所述绝缘层上形成窗口，以露出所述电流注入区；在所述绝缘层背离所述衬底层的一侧表面形成第一金属电极，所述第一金属电极与所述电流注入区接触；在所述衬底层背离所述覆盖层的一侧表面形成第二金属电极。
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百度查询： 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司 边发射激光器及其制备方法
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