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摘要：本发明公开了一种带隙基准电压源，带隙基准电压源包括耗尽型NMOS管、增强型NMOS管和电压跟随器；耗尽型NMOS管的控制极与耗尽型NMOS管的第一极、增强型NMOS管的第二极和电压跟随器的第一端连接，耗尽型NMOS管的第二极、电压跟随器的第二端与第一电源端连接，耗尽型NMOS管用于与增强型NMOS管共同产生基准电压，增强型NMOS管的控制极与电压跟随器的第三端连接，增强型NMOS管的控制极用于提供基准电压，增强型NMOS管的第一极、增强型NMOS管的控制极和增强型NMOS管的体端与第二电源端连接。本发明实施例的技术方案，能够提升带隙基准电压源在低压环境中的精度，并降低版图面积。
主权项：1.一种带隙基准电压源，其特征在于，包括：耗尽型NMOS管、增强型NMOS管和电压跟随器；所述耗尽型NMOS管的控制极与所述耗尽型NMOS管的第一极、所述增强型NMOS管的第二极和所述电压跟随器的第一端连接，所述耗尽型NMOS管的第二极、所述电压跟随器的第二端与第一电源端连接，所述耗尽型NMOS管用于与增强型NMOS管共同产生基准电压，所述增强型NMOS管的控制极与所述电压跟随器的第三端连接，所述增强型NMOS管的控制极用于提供基准电压，所述增强型NMOS管的第一极、所述增强型NMOS管的控制极和所述增强型NMOS管的体端与第二电源端连接。
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百度查询： 上海玥晨芯半导体科技有限公司 带隙基准电压源
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