买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明公开了一种具有负压关断功能的SiCMOSFET桥臂串扰抑制方法，属于电力电子技术与电工技术领域。所述方法在SiCMOSFET的栅源极间并联带泄放功能的辅助三极管电路，通过在SiCMOSFET的关断瞬态来临之前抬升分压电容上的驱动负压至约为0V，缓解负压关断对SiCMOSFET带来的负向串扰恶化的问题。同时，利用分压电容为SiCMOSFET提供驱动负压而无需外加隔离的负压源，并通过三极管泄放电路泄放分压电容上的电压，让负向串扰电压尖峰在零压而不是负压的基础上开始下降，并使用辅助MOS管串联辅助电容，在主动功率管正常通断时，将辅助电容从电路的栅源极间断开，一定程度上缓解栅源极间等效电容变大带来的开通时间增长、开关损耗增大等问题，更好地抑制桥臂串扰问题。

主权项：1.一种具有负压关断功能的SiCMOSFET桥臂串扰抑制方法，其特征在于，所述方法采用的驱动电路包括考虑寄生参数的SiCMOSFET负压关断电路、SiCMOSFET三极管负压泄放电路、SiCMOSFET串扰电流分流电路；上管SH的栅极与分压电路相连，分压电路由C1H、R1H、DH支路与C2H、R2H、S3H支路并联而成，C1H、R1H、DH支路接在上管SH的驱动芯片与栅极之间，二极管DH的方向与驱动芯片流向栅极的驱动电流方向一致，串扰电流分流电路由C2H、R2H、S3H组成，S3H为辅助功率管；SiCMOSFET三极管负压泄放电路由三极管TH、下拉电阻R3H、R4H组成，三极管的发射极与电容C1H相连、集电极通过电阻R4H与电容C2H相连、基极通过下拉电阻R3H相连，当驱动芯片提供正压时，二极管的导通压降导致三极管的基极电压大于发射极电压，三极管处于反向截止的状态，下管开通的同时，将上管的驱动电压降为零，此时的基极电压远小于发射极电压，三极管开始正向导通；下管的辅助电路与上管相同；所述方法利用分压电路为主功率管提供驱动负压，而无需外加隔离的负压源，并通过在功率管的栅源极间并联带泄放功能的辅助三极管电路，在负向串扰来临之前抬升分压电容上的驱动负压至约为0V，减小因负压关断对关断时期造成的影响，同时通过使用辅助MOS管串联辅助电容，在主功率管进行开通和关断时，将辅助电容从电路的栅源极间断开，缓解栅源极间等效电容变大带来的开通时间增长、开关损耗增大问题，更好地抑制桥臂串扰问题。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京航空航天大学 一种具有负压关断功能的SiC MOSFET桥臂串扰抑制方法