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一种基于GaAs工艺的UHF/VHF频段宽带90度电桥芯片电路 

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摘要:一种基于GaAs工艺的UHFVHF频段宽带90度电桥芯片电路,端口一与平面耦合螺旋变压器T1的初级线圈一端S1相连,另一端S2与电容C1、C3和电感L2的一端相连,电容C1的另一端接地,电感L2的另一端与电容C2、C4和平面耦合螺旋变压器T2的初级线圈一端S2相连,电容C2的另一端接地,T2初级线圈的另一端S1与端口二相连;T1次级线圈一端S1’与端口三相连,另一端S2’与电容C3的另一端、电容C5和电感L3的一端相连,电容C5的另一端接地,电感L3的另一端与电容C4的另一端、电容C6的一端和T2次级线圈的一端S2’相连,电容C6的另一端接地,T2次级线圈的另一端S1’与端口四相连。本发明能够在较宽的工作频带内实现幅度相等、相位差为90度的功率合成或分配。

主权项:1.一种基于GaAs工艺的UHFVHF频段宽带90度电桥芯片电路,其特征在于包括:端口一P1、端口二P2、端口三P3、端口四P4、平面耦合螺旋变压器T1和T2、电感L2和L3、电容C1~C6;所述端口一P1与平面耦合螺旋变压器T1的初级线圈一端S1相连,T1初级线圈的另一端S2与电容C1、C3和电感L2的一端相连,所述电容C1的另一端与射频地相连,所述电感L2的另一端与电容C2、C4和平面耦合螺旋变压器T2的初级线圈一端S2相连,所述电容C2的另一端与射频地相连,所述T2初级线圈的另一端S1与端口二P2相连;所述平面耦合螺旋变压器T1的次级线圈一端S1’与端口三P3相连,T1的次级线圈另一端S2’与电容C3的另一端、电容C5和电感L3的一端相连,所述电容C5的另一端与射频地相连,所述电感L3的另一端与电容C4的另一端、电容C6的一端和平面耦合螺旋变压器T2次级线圈的一端S2’相连,所述电容C6的另一端与射频地相连,T2次级线圈的另一端S1’与端口四P4相连。

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