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摘要：本发明公开了一种基于ALD技术的三维堆叠3T0CDRAM的制造方法，涉及计算机制造领域。基于一套工艺制程实现两个晶体管的制作，利用一个写晶体管控制两个读晶体管，实现更加灵活的器件和存储应用。同时，还可以制作背栅和双栅结构的读晶体管，工艺上更加灵活。将具有平面双栅或背栅结构的读晶体管和垂直沟道结构的写晶体管实现三维堆叠，提高无电容DRAM的应用场景，工艺稳定性。背栅基础上制作顶栅器件，能够提高读晶体管性能，实现灵活读取，并与其他器件更方便互联，拓宽无电容DRAM应用范围。本发明设计的工艺流程具有较好工艺可行性，提供了更广泛的应用可能。
主权项：1.一种基于ALD技术的三维堆叠3T0CDRAM的制造方法，其特征在于，基于一套工艺制程制作两个晶体管。
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百度查询： 复旦大学 嘉善复旦研究院 一种基于ALD技术的三维堆叠3T0C DRAM的制造方法
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