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摘要：本发明涉及抗氘氚离子渗透的钨合金偏滤器及其加工方法，属于钨合金材料技术领域。本发明的抗氘氚离子渗透的钨合金偏滤器，其表面具有纳米级凹坑陷阱，纳米级凹坑陷阱可成为诱捕氘氚离子的陷阱，进而增强对氘氚离子的捕捉作用，阻碍氘氚离子向材料内部扩散和渗透，减小氘氚离子在钨合金材料中的渗透速率和渗透量，可有效抑制钨合金材料的辐照损伤，提升钨合金材料在辐照工况下的使役性能。本发明的抗氘氚离子渗透的钨合金偏滤器使用时，具有较好的抗氘氚离子渗透性能，可有效提高钨合金偏滤器的服役寿命，保证核聚变反应堆的高参数稳态运行。
主权项：1.一种抗氘氚离子渗透的钨合金偏滤器，其特征在于，包括钨合金基体，所述钨合金基体表面构筑有仿氦泡结构，所述仿氦泡结构包括用于诱捕氘氚离子的纳米级凹坑陷阱，所述纳米级凹坑陷阱的内陷深度和开口宽度均为纳米级，钨合金基体表面分布的所述纳米级凹坑陷阱的密度不少于104个mm2。
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百度查询： 河南科技大学 抗氘氚离子渗透的钨合金偏滤器及其加工方法
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