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申请/专利权人：西安君信电子科技有限责任公司

摘要：本实用新型涉及一种基于高压MOSFET的BOOST电路，主要由驱动芯片、电阻、电容、电感、高压MOS、高压二极管等核心部件组成，使用了驱动能力、整体性能较强的驱动芯片和功率场效应管，选用的功率场效应管具备高压、大功率、低导通电阻、抗辐射、开关速度快、稳定性好等特性，驱动芯片具备宽电压、抗辐射、驱动能力强、响应快、稳定性好等特性。

主权项：1.一种基于高压MOSFET的BOOST电路，其特征在于：包括驱动芯片U1，所述驱动芯片U1的引脚2通过电容C300与接地端电连接，所述驱动芯片U1的引脚2还通过电阻R65与接地端电连接，所述电阻R65与接地端之间设置有同轴连接器P1,所述驱动芯片U1的引脚7通过电容C301与接地端电连接，所述驱动芯片U1的引脚2还通过电阻R66与接地端电连接，所述电阻R66与接地端之间设置有同轴连接器P2,所述驱动芯片U1的引脚10通过电阻R67与场效应管T53的栅极电连接，所述驱动芯片U1的引脚11通过电阻R68与场效应管T53的栅极电连接，场效应管T53的栅极通过电阻R40与接地端电连接，场效应管T53的源极与接地端电连接，场效应管T53的漏极与二极管D91的正极电连接，场效应管T53的漏极还与二极管D30的正极电连接，二极管D30的负极与二极管D91的负极电连接，二极管D30的负极通过电容Cout与接地端电连接，二极管D30的负极也与接地端电连接，二极管D30的负极与接地端之间设置有同轴连接器P5、同轴连接器P6，并且同轴连接器P5与同轴连接器P6电连接；所述驱动芯片U1的引脚12与驱动芯片U1的引脚13电连接，所述驱动芯片U1的引脚12通过电容Cvv与接地端电连接，所述驱动芯片U1的引脚12通过同轴连接器P3与接地端电连接，所述驱动芯片U1的引脚14通过电阻R278与场效应管T2的栅极电连接，所述驱动芯片U1的引脚15通过电阻R277与场效应管T2的栅极电连接，场效应管T2的栅极通过电阻R39与接地端电连接，场效应管T2的源极与接地端电连接，场效应管T2的漏极与二极管D30的正极电连接，场效应管T2的漏极通过电感L6电容Cin的一端电连接，电容Cin的另一端与接地端电连接，电容Cin的一端通过同轴连接器P4与接地端电连接，所述驱动芯片U1的引脚4与驱动芯片U1的引脚5电连接，所述驱动芯片U1的引脚4与接地端电连接。

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