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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及半导体基底的制备，具体涉及一种CVD法制备多层碳化钽涂层的方法及产品。以钽盐和反应气为原料采用CVD法在基底材料表面制备碳化钽涂层的过程中，在载体气流不变的条件下，将钽盐载气、烷烃和氢气通过循环控制的方式通入，进行实时控制气流比。本发明通过实时控制气流比，使反应气流以正弦交叉波动式通入反应腔室形成多层交错式碳化钽涂层结构，涂层纯度较高，其多层结构能有效阻止裂纹向基底材料的延伸，将基底材料与反应室气氛隔离，起到更好的保护作用。
主权项：1.一种CVD法制备多层碳化钽涂层的方法，其特征在于，以钽盐和反应气为原料采用CVD法在基底材料表面制备碳化钽涂层的过程中，通过实时控制气流比，使反应气流以正弦交叉波动式通入，从而形成多层碳化钽涂层；其中，反应气包括烷烃和氢气，实时控制气流比是在反应气载体气流不变的条件下，将钽盐载气、烷烃和氢气通过循环控制的方式通入，钽盐载气控制方式的一个循环过程为：在设定时间内，钽盐载气流量先从原始流量的45~55%升高至钽盐载气原始流量，再降低至钽盐载气原始流量的45%~55%；烷烃气流控制方式的一个循环过程为：在设定时间内，烷烃流量先降低至烷烃原始流量45~55%，再升高至烷烃原始流量；氢气气流控制方式的一个循环过程为：在设定时间内，氢气流量先降低至氢气原始流量45~55%，再升高至氢气原始流量；所述钽盐载气、烷烃原始流量与所述氢气原始流量的比为3.8~4.2:1.9~2.1:1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种CVD法制备多层碳化钽涂层的方法及产品
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