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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：本发明的课题是制造低介质损耗角正切和粒子形状为球形的镁橄榄石，提供高频特性提高了的基板。解决手段是具有0.1μm～10μm的平均粒径、和0.0003～0.0025的介质损耗角正切的镁橄榄石粒子。球形度＝通过激光衍射式粒度分布测定装置测得的平均粒径：μm由使用了氮气吸附法的比表面积换算得到的平均一次粒径：μm为1.0～3.3。一种镁橄榄石粒子的制造方法，其包含下述工序：A工序：将成为镁源的镁化合物与成为硅源的硅化合物以镁与硅的MgOSiO2摩尔比成为1.90～2.10的方式混合而调制镁橄榄石粒子的工序，B工序：将在A工序中调制的镁橄榄石粒子投入到烃的燃烧火焰内并回收镁橄榄石粒子的工序，C工序：将在B工序中获得的镁橄榄石粒子在700℃～1100℃下烧成的工序。树脂与镁橄榄石粒子的比例以质量比计为1：0.001～1000。
主权项：1.一种镁橄榄石粒子，其具有0.1μm～10μm的平均粒径、和0.0003～0.0025的介质损耗角正切，所述介质损耗角正切的值是通过共振器法中的摄动方式空腔共振器法测定1GHz和10GHz的值来进行评价的，所述镁橄榄石粒子按照下述式3算出的球形度为1.0～3.3，球形度＝LsNs式3在式3中，Ls表示通过激光衍射式粒度分布测定装置测定的平均粒径，Ns表示通过按照氮气吸附法的测定项的比表面积换算而算出的平均一次粒径，Ls和Ns的单位都为μm，所述镁橄榄石粒子按照下述式4算出的水分吸附量为0.15％以下，水分吸附量％＝[m1-m2m2]×100式4在式4中，m1表示在温度150℃下干燥了24小时后在温度25℃、湿度50％下放置48小时后的镁橄榄石粒子的质量，m2表示在温度150℃下干燥了24小时后的镁橄榄石粒子的质量，m1和m2的单位都为g，所述镁橄榄石粒子通过使用了CuKα线的X射线衍射测定而得到的2θ＝52°～53°的衍射峰的积分强度为800counts·deg以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 球状镁橄榄石粒子、其制造方法及包含球状镁橄榄石粒子的树脂组合物
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