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申请/专利权人：成都高投芯未半导体有限公司

摘要：本发明提出一种IGBT耐压测试系统及方法，脉冲电压源连接IGBT器件的栅极，电流采集单元连接IGBT器件的发射极，脉冲电压源连接于电流采集单元，测试机分别与脉冲电压源、电流采集单元连接；测试机控制脉冲电压源在IGBT器件的栅极和发射极之间施加脉冲电压；电流采集单元采集IGBT器件的栅极和发射极之间的漏电流值，并将漏电流值传输给测试机；测试机根据漏电流值确定IGBT器件的耐压测试结果。通过施加脉冲电压，快速测量漏电流值，可以在准确地完成IGBT耐压测试的前提条件下，尽可能缩短IGBT耐压测试的时长，避免长时间连续的电流测试导致IGBT器件出现发热的情况，减少对器件的损害。

主权项：1.一种IGBT耐压测试系统，其特征在于，所述IGBT耐压测试系统包括：测试机、脉冲电压源以及电流采集单元，所述脉冲电压源的第一端用于连接IGBT器件的栅极，所述电流采集单元的第一端用于连接IGBT器件的发射极，所述脉冲电压源的第二端连接于所述电流采集单元的第二端，所述测试机分别与所述脉冲电压源、所述电流采集单元连接；所述测试机用于控制所述脉冲电压源在所述IGBT器件的栅极和发射极之间施加脉冲电压，包括：控制所述脉冲电压源按照目标电压在所述IGBT器件的栅极和发射极之间施加脉冲电压；所述电流采集单元用于采集所述IGBT器件的栅极和发射极之间的漏电流值，并将所述漏电流值传输给所述测试机；所述测试机用于根据所述漏电流值确定所述IGBT器件的耐压测试结果，包括：确定在所述目标电压下所述漏电流值是否超过电流阈值，若在所述目标电压下所述漏电流值超过所述电流阈值，控制所述脉冲电压源停止施加脉冲电压，并将当前的目标电压确定为所述IGBT器件的击穿电压，以生成所述IGBT器件的耐压测试结果；若在所述目标电压下预设时间长度内所述漏电流值未超过所述电流阈值，所述测试机用于控制所述脉冲电压源停止施加脉冲电压，并将当前的目标电压增加第一预设幅度，以得到新的目标电压；所述测试机用于确定新的目标电压是否超过电压阈值；若新的目标电压未超过所述电压阈值，所述测试机用于控制所述脉冲电压源按照新的目标电压在所述IGBT器件的栅极和发射极之间施加脉冲电压，直至新的目标电压超过所述电压阈值或所述漏电流值超过所述电流阈值。

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