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申请/专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

摘要：本发明公开了一种玻璃钝化实体封装低压二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括硅片A和两个电极引线，所述硅片A位于两个所述电极引线之间，其中一个电极引线通过焊接金属A与硅片A连接，另一个电极引线通过焊接金属B与硅片A连接，所述硅片A、焊接金属A、焊接金属B和两电极引线均设于钝化玻璃内，且电极引线的一端延伸到钝化玻璃外。二极管的核心PN结是在电极引线与管芯的烧焊过程中同步获得的，避免了PN结因高温工艺进行了重新分布，最终导致二极管电压大幅提高的问题，避免了传统二极管因管芯PN结结深太浅，烧焊时焊接金属穿越PN结，导致PN结短路的问题，可以制造6V以下的玻璃钝化实体封装二极管。

主权项：1.一种玻璃钝化实体封装低压二极管的制造方法，其特征在于：所述玻璃钝化实体封装低压二极管包括硅片A（5）和两个电极引线，所述硅片A（5）位于两个所述电极引线之间，其中一个电极引线通过焊接金属A（4）与硅片A（5）连接，另一个电极引线通过焊接金属B（7）与硅片A（5）连接；所述硅片A（5）、焊接金属A（4）、焊接金属B（7）和两电极引线均设于钝化玻璃（6）内，且电极引线的一端延伸到钝化玻璃（6）外；所述硅片A（5）为N型单晶硅片，包括N层和N+层，N层靠近焊接金属A（4），N+层靠近焊接金属B（7）；所述电极引线包括铜引线（1）和钼电极（3），钼电极（3）通过银铜片（2）与铜引线（1）焊接连接；所述焊接金属A（4）为铝片；所述焊接金属B（7）为蒸铝层，蒸铝层厚度为6μm-16μm；所述玻璃钝化实体封装低压二极管的制造方法，包括以下步骤：步骤一、制备管芯；步骤二、高温烧结，通过银铜片（2）将铜引线（1）和钼电极（3）焊成完整的电极引线；步骤三、将电极引线、管芯、铝片、电极引线依次竖直叠放在石墨模具中，然后将石墨模具放入真空烧结炉内，对电极引线、管芯和铝片进行熔焊键合；步骤四、将烧焊后的二极管插入腐蚀盘中，使用浓度为2~12%，温度为80~100℃的KOH溶液对其进行腐蚀3~7min，腐蚀后使用热去离子水冲洗，冲洗后将二极管放入热去离子水中煮沸3~7次，再取出二极管用热、冷去离子水交叉冲洗半小时以上；步骤五、在二极管的表面涂覆玻璃粉浆，然后送入高温成型炉中成型，即得；所述步骤一中管芯制备包括以下步骤：A、选择电阻率为0.003Ω·cm~0.04Ω·cmN型单晶硅片；B、将N型单晶硅片置于源中进行磷扩散，形成N+NN+的硅片，扩散结深为10μm~80μm，方块电阻为0.1Ω□~3Ω□，源的配比为P2O5：C2H5OH=5~6g：50ml；C、磷扩散后对硅片进行磨片处理，除去一面N+层，形成NN+的硅片A（5），硅片A（5）厚度为200μm~350μm；D、在硅片A（5）的N+面蒸铝，蒸铝层厚度为6μm-16μm，蒸铝后将硅片A（5）放入真空烧结炉内，对硅片A（5）和蒸铝层进行熔焊键合，温度为450~550℃，恒温5~20min；F、通过超声切割将硅片A（5）裂片为所需管芯尺寸，采用体积比为HF：HNO3=1：5的溶液对裂片所得芯片进行腐蚀，腐蚀时间为80~180S，然后使用冷去离子水冲洗芯片，并烘干，即得管芯；二极管的核心PN结是在电极引线与管芯的烧焊过程中同步获得的，在高温烧结时，管芯的N面与铝片合金形成二极管的核心PN结，其获得的PN结为突变结，可获得很低的反向电压。

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